1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. KRi 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 完美体育365官方网站是美国考夫曼离子源中国总代理.
霍尔离子源 射频离子源 考夫曼离子源 离子源自动控制器
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美国 KRI 射频离子源 RFICP 380
完美体育365官方网站美国 KRi 大口径射频离子源 RFICP 380, 3层栅极设计, 栅极口径 38cm, 提供离子动能 100-1200eV 宽束离子束, 最大离子束流 > 1000mA, 满足 300 mm (12英寸)晶圆应用.
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美国 KRI 射频离子源 RFICP 220
完美体育365官方网站代理美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 射频离子源 RFICP 220, 大面积高能量栅网离子源.
离子束流: >800 mA; 离子动能: 100-1200 V; 中和器: LFN 2000; 流量(Typical flow): 10-40 sccm; 压力: < 0.5m Torr
离子束可选聚焦, 平行, 散射.
采用射频技术产生离子, 无需电离灯丝, 工艺时间更长.
通入气体可选 Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, others.
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美国 KRI 射频离子源 RFICP 140
完美体育 KRI 射频离子源 RFICP 140 离子束可选聚焦, 平行, 散射
型号 |
Discharge |
离子束流 |
离子动能 |
离子束 |
流量 |
典型压力 |
中和器 |
栅极直径 |
长度 |
直径 |
通气 |
RFICP 140 |
RFICP 射频 |
>600 mA |
100-1200 V |
聚焦, 平行, 散射 |
5-30 sccm |
< 0.5m Torr |
LFN 2000 |
14 cm Φ |
24.6 cm |
24.6 cm |
Ar, Kr, Xe, O2,
N2, H2, 其他
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美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 160
完美体育365官方网站代理美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 考夫曼离子源 KDC 160. 离子束可选聚焦/ 平行/ 散射. 适用于已知的所有离子源应用.
离子源型号 |
Discharge |
离子束流 |
离子动能 |
离子束 |
流量 |
典型压力 |
中和器 |
栅极直径 |
长度 |
直径 |
通气 |
离子源 KDC 160 |
DC 热离子 |
>650 mA |
100-1200 V |
聚焦, 平行, 散射 |
2-30 sccm |
< 0.5m Torr |
灯丝 |
16 cm Φ |
25.2 cm |
23.2 cm |
Ar, Kr, Xe,
O2, N2, H2, 其他
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* 可选: 可调角度的支架
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美国 KRI 霍尔离子源 eH 3000
完美体育365官方网站代理美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 霍尔离子源 eH 3000 最适合大型真空系统, 与友厂大功率离子源对比, 霍尔离子源 eH 3000 是目前市场上最高效, 提供最高离子束流的无栅网离子源.
尺寸: 直径= 9.7“ 高= 6”
放电电压 / 电流: 50-300V / 20A
操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体
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美国 KRI 霍尔离子源 eH 400
完美体育365官方网站代理美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 霍尔离子源 eH 400 低成本设计提供高离子电流, 霍尔离子源 eH 400 尺寸和离子能量特别适合中小型的真空系统, 可以控制较低的离子能量, 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.
尺寸: 直径= 3.7“ 高= 3”
放电电压 / 电流: 50-300eV / 5a
操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体
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美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 75
完美体育365官方网站代理美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 考夫曼离子源 KDC 75, 紧凑栅网离子源, 离子束可选聚焦/ 平行/ 散射.
离子源型号 |
Discharge |
离子束流 |
离子动能 |
离子束 |
流量 |
典型压力 |
中和器 |
栅极直径 |
长度 |
直径 |
通气 |
离子源 KDC 75 |
DC 热离子 |
>250 mA |
100-1200 V |
聚焦, 平行, 散射 |
2-15 sccm |
< 0.5m Torr |
灯丝 |
7.5 cm Φ |
20.1 cm |
14 cm |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
* 可选: 一个阴极灯丝; 可调角度的支架
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KRI 离子源中和器 LFN2000
KRI 离子源中和器 LFN2000 是一个非浸没的中和器, 它安装在离子源的一侧.
KRI 离子源中和器 LFN2000 比浸入式灯丝的工作时间要长得多, 适合时间长/ 高要求的工艺.
KRI 离子源中和器 LFN2000 安装非常适合高通量负载锁定平台, 在这种平台上, 不经常的舱室通风需要可靠和低维护的中和器. 当需要最终的维护任务时, LFN的模块化架构促进了插头和插座功能访问时快速和简单的步骤.
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KRI 离子源中和器 LHC1000