完美体育365官方网站代理用于研发和工业生产的高品质薄膜设备, 产品组合包括手动溅射，溅射，电子束，热蒸发器，ALD，PEALD，RIE，PECVD和LPCVD，半自动化或全自动解决方案。
PVD 是一种使用物理机制执行薄膜沉积而不涉及化学反应的制程技术。所谓物理机制是物质的相变现象，例如蒸发。蒸发材料由固体状态转变为气体状态。
CVD 作为化学气相沉积法，是将基板暴露于一种或多种挥发性气体中，在基板表面上反应或分解以产生所需薄膜沉积的过程。这种方法通常用于在真空环境中制造高质量，高性能的固体材料。因此，该工艺通常在半导体工业中用于制造薄膜。
ALD 用于薄膜沉积的原子层沉积是基于顺序使用气相化学过程的最重要技术之一；它可以被视为一种特殊类型的化学气相沉积（CVD）。多数ALD反应使用两种或更多种化学物质（称为前驱物，也称为“反应物”）。这些前驱物以一种连续的且自我限制的方式，一次与一种材料的表面反应。通过多个ALD循环，薄膜被缓慢沉积。 ALD为制造半导体元件的重要制程，并且是可用于合成纳米材料主要工具的一部分。
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有机材料热蒸镀设备 Organic material
客制化的基板尺寸, 最大直径为12寸晶圆或 470 x 370 mm2 (玻璃)
优异的薄膜均匀度小于±3%
用 CCD 对位将玻璃基板和屏蔽的位置对准在 ±5μm以内
用于有机材料的蒸发源（可用金属、陶瓷、石墨或PBN坩埚）
镀率自动控制: 最小值为 0.01Ǻ/s
蒸发源温度控制可达到精度 ±0.1oC
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金属热蒸镀设备 Metal Thermal
客制化的基板尺寸, 最大直径为 12寸晶圆或 470 x 370 mm2 (玻璃)
优异的薄膜均匀度小于±3％
基板可加热到 800°C
腔体的极限真空度约为 10-8 Torr
利用载台旋转来改善薄膜沉积之质量
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磁控溅镀设备 FPD-PVD
客制化基板尺寸最大为 550 x 650 mm2 (玻璃)
薄膜均匀度小于±5％
稳定的温度控制, 可将基板加热到 400°C
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连续式多腔磁控溅镀设备 In-Line Sputter
客制化基板尺寸最大为 1100 x 1300 mm2 （玻璃）
薄膜均匀度小于 ±5％
高沉积速率 ≥ 250nm/min 和高效率阴极
稳定的温度控制, 可将基板加热到 400°C
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多层膜磁控溅镀设备 Multilayer Sputter
客制化基板尺寸, 最大直径可达 12寸晶圆
薄膜均匀度小于 ±3％
磁控溅镀源（最多6个源）, 靶材尺寸多种可选
基板可加热到 600°C
腔体的极限真空度约 10-8 Torr
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超高真空磁控溅镀设备 UHV Sputter
客制化基板尺寸, 最大直径可达 12寸晶圆
薄膜均匀度小于±3％
磁控溅镀源 (最多8个源), 具有多种可选的靶材尺寸
基板可加热到 1000°C
腔体的极限真空度约 10-10 Torr
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磁控共溅镀设备 Co-Sputter
客制化基板尺寸, 最大直径可达 12寸晶圆
薄膜均匀度小于 ±3％
磁控溅镀源 (最多8个源), 具有多种可选的靶材尺寸
基板可加热到 1000°C
适用于氧化物, 氮化物和金属材料的研究
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剥离成形电子束蒸镀设备 Lift-Off E-beam Evaporation System
客制化的基板尺寸, 最大直径可达 12寸晶圆
薄膜均匀度 小于±3％
腔体的极限真空度约为 10-8 Torr
适用于 Lift-Off 制程
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超高真空电子束蒸镀设备 UHV E-beam Evaporation System
客制化的基板尺寸, 最大直径可达 8寸晶圆
薄膜均匀度小于 ±3％
腔体的极限真空度约为 10-10 Torr
腔体为使用金属密封圈并可烘烤至 150°C
适用于光学材料研究 ( LED / Laser Diode ), 光电元件, 半导体元件
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